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碳化矽單晶爐係統TDL60P
編號-__朴载庆:SN20150801142150212
類別__-古董估价:碳化矽晶體生長爐
  • 產品概述
  • 規格參數
  • 服務支持

    設備用途
    主要用於半導體和LED行業_|179彩票。采用中頻感應加熱方式|-dnf智能娃娃机怎么用,物理氣相傳輸法生長優質光學晶體-|_南京水货手机市场。


    設備組成
    本係統采用單室立式雙層水冷不鏽鋼結構--制作银行卡。由爐膛--_6月新股、真空獲得及測量係統-||009彩票靠谱吗、籽晶杆拉送係統__-众博网app、坩堝杆拉送係統-|亿博娱乐彩票、感應加熱係統--亿发国际、電控係統等組成-雪弗莱汽车。

    技術指標

    型號

    TDL60P

    爐內真空度

    極限真空

    6.6×10-5Pa

    係統抽速

    60分鍾內真空度<2×10-3Pa(短時間暴露大氣並充入幹燥氮氣開始抽氣

    係統漏率

    停泵關機12小時後真空度≤10Pa

    爐體

    主爐膛

    尺寸Φ600×800 mm

    副爐膛

    尺寸Ф300×400mm

    轉速

    0~30rpm

    提拉速度連續可調範圍

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度連續升降可調

    ≥50㎜/min

    有效行程

    390㎜

    坩堝傳動機構

    轉速

    0~30rpm

    升速範圍

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度連續升降可調

    ≥50㎜/min

    有效行程

    560㎜

    額定總功率

    55KW

    循環水用量

    3m3/h

    真空配置

    分子泵|_-小米电视3发布会、機械泵||腾讯名人坊陈晓、插板閥

    占地麵積

    主機

    1500×2500mm2

    電控櫃

    700×700mm2(一個)

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